巨磁电阻(效应):一种材料/器件的电阻会随外加磁场显著变化的现象,常见于由铁磁层与非磁层交替构成的薄膜多层结构。它是现代磁存储读出技术与自旋电子学的重要基础。(注:除“巨磁电阻”外,还有较常见的“磁电阻”“隧道磁电阻”等相关概念。)
/ˈdʒaɪənt mæɡˌniːtoʊrɪˈzɪstəns/
Giant magnetoresistance made hard drives much more sensitive.
巨磁电阻让硬盘读写头的探测灵敏度大幅提高。
By engineering multilayer thin films, researchers exploited giant magnetoresistance to detect tiny magnetic fields and accelerate the development of spintronic devices.
通过设计多层薄膜结构,研究人员利用巨磁电阻来探测微弱磁场,并推动了自旋电子器件的发展。
该术语由三部分构成:giant(巨大的)+ magneto-(磁的)+ resistance(电阻)。它在20世纪80年代末随多层膜磁性结构研究兴起而被广泛使用,用来强调这种磁电阻变化幅度相较传统磁电阻效应“异常之大”。